Не успели своими успехами в области разработки FRAM-памяти поделиться NEC и Toshiba, как пришло сообщение от компании Ramtron.Texas Instruments (TI) и Ramtron подписали коммерческое соглашение о производстве на мощностях TI FRAM-модулей по 130-нанометровой технологии, включая новейшие чипы с плотностью записи 4 Мбит. Сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом к ячейкам (Ferroelectric Random Access non-volatile Memory, FRAM) имеет целый ряд преимуществ перед традиционной технологией: прежде всего, это способность сохранять данные при отключённом энергоснабжении, а также чрезвычайно высокие скорости чтения и записи. Сотрудничество Ramtron и TI в этой сфере началось ещё в августе 2001 года, когда было подписано первое соглашение о развитии данного проекта. «Это производственное соглашение знаменует важный шаг на пути коммерческого продвижения FRAM-продуктов», – заявил глава Random Билл Стаунтон (Bill Staunton). Он также отметил, что в течение года компания планирует расширить производственную линейку ещё как минимум одним продуктом.Согласно официальной информации, новый 4-мегабитный чип под наименованием FM22L16 имеет следующие основные характеристики: диапазон рабочего напряжения: 2,7 – 3,6 В; логическое построение: 256 Кбит x 16; количество циклов перезаписи: не менее 100 триллионов; среднее время доступа: 55 нс; длительность полного цикла: 110 нс; корпус: TSOP-II, 44-контактный; энергопотребление в активном режиме: 18 мА; энергопотребление в экономичном режиме: 5 мкА. Отдельно следует отметить совместимость с памятью типа SRAM. Цена новых модулей составит 19 долларов за штуку при минимальной партии 10000 штук. Источник новости: DigiTimes