На международном форуме VLSI Technology 2005 компании Toshiba и Sony объявили об окончании совместных работ над созданием новой технологии, обеспечивающей производство 45-нм элементов.Специалистам двух гигантов удалось сократить размер ячейки памяти до 0.069 кв.мм благодаря использованию трех ключевых приемов. Во-первых, Toshiba и Sony расширили область каналов в основании с помощью технологии травления и внедрили слой вещества Al203, обладающего высокой диэлектрической проницаемостью. Во-вторых, улучшили способность ячейки удерживать заряд и снизили утечку передаваемых сигналов в сопряжениях. И, в-третьих, уменьшили размеры соединений между конденсаторами и транзисторами. Источник новости: Tech-On!