TSMC разработала «революционный» чип со значительно сниженным энергопотреблением

TSMC и Тайваньский научно-исследовательский институт промышленных технологий (ITRI) совместно разработали микросхему массива спин-орбитальной магнитной памяти с произвольным доступом (SOT-MRAM), что знаменует собой значительный прогресс в технологии энергонезависимой памяти. Новый чип может похвастаться удивительным энергопотреблением, которое составляет всего 1% от обычного спин-трансферного момента (STT) MRAM, а также исключительно низкой задержкой.