Компания Macronix сообщила о разработке новой технологии, позволяющей вдвое увеличить емкость устройств на основе NOR чипов флэш-памяти при сохраниении прежних размеров чипов. Сообщается, что новая, основанная на нитридных соединениях технология позволяет "размещать" одновременно два бита информации в ячейке, что делает процесс производства более дешевым (очевидно, в расчете на бит информаии), и в будущем существует возможность развития представленной технологии. Произведенные по Nbit-технологии ячейки памяти "захватывают" заряд на одной своей стороне, при этом его "перетекание" на другую половину крайне затруднено. В результате, появляется возможность сохранения второй "порции" заряда на противоположной стороне, что вдвое увеличивает количество бит на ячейку памяти. Программирование битов осуществляется при помощи инжекции горячих электронов, удаление - при помощи процесса туннелирования. Представители Macronix сообщают о готовности 32 Мб продуктов, а в будущем планируется производство и 1 Гб устройств на основе NOR флэш-памяти. Источник новости: TomsHardware