Власти США потратят $825 млн на новый исследовательский центр полупроводников

Власти США инвестируют 825 миллионов долларов в новый исследовательский и опытно-конструкторский центр полупроводников в Олбани, штат Нью-Йорк. Этот центр будет нацелен на развитие технологии EUV-литографии, которая является ключевой для производства более мелких, более быстрых и более эффективных микросхем.