Технология резистивной RAM обеспечит смартфоны терабайтом памяти

Если вы полагаете, что 3 ГБ оперативной и 128 ГБ накопительной флеш-памяти в вашем новом флагманском смартфоне является чем-то запредельным по крутизне, вынуждены вас разочаровать – вполне вероятно, что через несколько лет подобные показатели будут иметь лишь бюджетные аппараты. Надеяться на это позволяют исследования ученых из Университета Райса, опубликовавших подробности о новом типе так называемой резистивной RAM (RRAM), позволяющей оснащать гаджеты терабайтом памяти. Причем, для выпуска такой RRAM не требуется особых затрат и переоснащения производства.

По словам исследователей, создавать новую RRAM можно на стандартном оборудовании при комнатной температуре, а суть методики состоит в использовании оксида пористого кремния, где промежутки заполнены металлом вроде золота или платины. В результате получается резистивная RAM с возможностью хранения 9 бит информации на ячейку, что гораздо больше по сравнению даже со стандартной флеш-памятью, плюс более надежная и устойчивая к воздействию тепла. По мнению специалистов Crossbar, эта RRAM может позволить создавать модули вместимостью 1 ТБ размером с почтовую марку, подходящие для смартфонов и планшетов, что особенно значимо с развитием 64-битных вычислений.

Источник новости: Rice University