Хотя сегодня практически весь научный мир сходит с ума по графену, которому находят все новые сферы применения, продолжается исследовательская работа и в отношении других двухмерных материалов, где толщина пласта составляет всего один атом. Скажем, команде ученых из Техасского университета в Остине удалось разработать новый метод работы с силиценом, кремниевым аналогом того самого графена, что позволяет создавать на его основе самые настоящие транзисторы для разных микроэлектронных компонентов.В основе указанной методики, по словам одного из разработчиков Деджи Акинванда (Deji Akinwande), лежит конструктивное решение, согласно которому силицен выращивается на пленке из серебра, а сверху покрывается оксидом алюминия. Полученный таким образом “бутерброд” затем помещается на кремниевую пластину стороной с серебром вверх, что дает возможность изолировать двухмерный материал от доступа воздуха и создать что-то наподобие простейшего транзистора, способного стабильно функционировать в вакууме. Конечно, пока разработка американских ученых носит чисто экспериментальный характер и на пути создания настоящих силиценовых микросхем предстоит преодолеть еще немало сложностей. Помимо прочего, сам этот двухмерный материал был открыт относительно недавно и может быть получен лишь в лабораторных и промышленных условиях, однако его применение обещает серьезный прогресс в кремниевой микроэлектронике, к примеру, создание сверхбыстрых чипов для больших вычислительных систем и суперкомпьютеров. Источник новости: Техасский университет