Модули флеш-памяти Toshiba NAND с использованием 19-нм техпроцесса второго поколения
Корпорация Toshiba объявила о выпуске новых встраиваемых модулей флеш-памяти на основе логики NAND, в которых чипы NAND созданы с использованием 19-нанометровой технологии второго поколения. Такой модуль полностью совместим с последним стандартом eMMC и предназначен для применения в широком спектре цифровых потребительских продуктов, включая смартфоны, планшетные компьютеры и цифровые видеокамеры. Серийное производство начнется с конца ноября.
Модули флеш-памяти Toshiba NAND
В разработанный компанией новый встраиваемый модуль памяти объемом 32 гигабайт интегрировано четыре созданных с использованием 19-нанометровой технологии второго поколения чипов NAND объемом 64 Гбит (эквивалент 8 ГБ) каждый и выделенный контроллер. Все это размещено в компактном корпусе размером всего 11,5 x 13 x 1,0 мм. Модуль совместим со стандартом JEDEC e･MMC версии 5.0, опубликованным Объединенным советом по разработке электронных устройств (JEDEC) в сентябре этого года, и обеспечивает высокую производительность чтения и записи благодаря применению нового стандарта высокоскоростного интерфейса HS400.
Корпорация Toshiba предложит линейку встраиваемых однокорпусных модулей флеш-памяти NAND объемом от 4 до 128 ГБ. Все они будут интегрированы с контроллером, управляющим базовыми функциями использования NAND. Серийное производство модулей Toshiba THGBMBG8D4KBAIR (32 ГБ) и THGBMBG7D2KBAIL (16 ГБ) стартует в конце ноября. Скорость записи (последовательно, режим HS400) достигает 90 МБ/с у 32 ГБ модели и 50 МБ/с у 16 ГБ модели, а скорость чтения - 270 МБ/с. Вслед за модулями объемом 16 ГБ и 32 ГБ Toshiba выпустит также модули с объемами 4 ГБ, 8 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ.
Источник новости: Toshiba