Самой большой неожиданностью прошедшего дня на конференции производителей литографического оборудования SPIE Advanced Lithography Conference проходящей в г. Сан-Хосе (США), стала новость о намерении корпорации Canon наладить выпуск литографических сканеров, использующих жесткое ультрафиолетовое излучение (EUV). Формально являясь участником японского EUV-консорциума, Canon до сих пор ни разу не заявляла о желании производить EUV-оборудование, пригодное для коммерческого использования.
Как было объявлено на конференции, Canon уже имеет в своем арсенале один EUV-сканер класса SFET (Small-Field Exposure Tool), который из-за малого размера операционного поля (0,2 х 0,6 мм) предназначен скорее для проведения научно-исследовательских работ, чем для коммерческого производства полупроводниковых микросхем. Сообщается, что сканер способен наносить на поверхность кремниевой пластины рисунок с размерами элементов до 24-нм.
Ожидается, что Canon, также, представит участникам конференции свой новый 193-нм иммерсионный сканер FPA-7000AS7 для производства 32-нм микросхем, планируемый к выпуску в течение текущего года.
Источник новости: 3dnews.ru