Toshiba объединяет усилия с Infineon в разработке и производстве чипов ферроэлектрической памяти (FeRAM). Вложив 60 млн. долларов и выделив 50 инженеров компании надеются начать массовые поставки 32-Мбит чипов к концу 2002 года (первые инженерные образцы появятся уже в марте 2001 года). За ними последуют 64- и 128-Мбит версии. У Toshiba уже есть 8-Мбит чипы FeRAM. Они и будут основой для совместных разработок, стартующих в начале января. Роль Infineon, естественно, будет заключаться в разрешении технологических затруднений.
FeRAM — это тип постоянной памяти, случайно открытый в 1998 году в результате исследований Hyndai и американских компаний Symetrix и Cells. Для сотовых телефонов и прочих мобильных устройств привлекательность FeRAM обуславливается, прежде всего, малой потребляемой мощностью. Вдобавок, в отличие от NOR-флэша, скорость чтения и записи FeRAM сравнима с соответствующими показателями SRAM. Так что FeRAM в будущем сможет весьма успешно конкурировать с современными MCP-модулями, многочиповыми решениями, объединяющими SRAM и флэш.
Источник новости: Infineon Technologies AG