Известный производитель памяти компания Hynix Semiconductor на международной конференции Solid-State Circuits объявила о создании первого в мире гигабитного чипа DDR3 RAM (данный объем эквивалентен 128 мегабайтам).Новинка произведена с использованием 44-нанометрового производственного процесса, что, по заявлениям представителей компании, делает ее примерно на 50 процентов производительнее более ранней продукции, изготовленной по прежнему 54 нм техпроцессу. Энергопотребление новинки также снижено по сравнению с существующими образцами памяти. Массовое производство первых модулей RAM с использованием “тонкого” 44 нм техпроцесса должно начаться этим летом. Hynix пока не оглашает основные свойства конечного продукта, однако известно, что существующие планки RAM ограничены 4 гигабайтами и зачастую дорого стоят. Источник новости: Electronista