Инженеры совершили прорыв в графеновых мемристорах — резисторах с «памятью»

Учёные из Лондонского университета королевы Марии и компании Paragraf Limited совершили значительный прорыв в разработке графеновых мемристоров — ключевого компонента для будущих систем вычислений и ИИ. Их инновация, недавно опубликованная в журнале ACS Advanced Electronic Materials, демонстрирует масштабируемый процесс производства мемристоров на основе графена на уровне пластин, что важно для серийного выпуска.