Исследователи вырастили полупроводник на полноразмерной пластине

В отличие от традиционного кремния, InSe может осаждаться при более низких температурах, что делает его совместимым с кремниевыми чипами. Уникальные свойства материала позволяют изготавливать более тонкие компоненты микросхем, что обеспечивает больший контроль над потоком электроэнергии и снижение энергопотребления. Кроме того, чистота и кристаллическая упорядоченность InSe делают его идеальным кандидатом для создания современных вычислительных микросхем.

Это открытие открывает путь к созданию более эффективных и мощных электронных устройств, поскольку полупроводниковая промышленность выходит за рамки кремния, чтобы удовлетворить растущие потребности в вычислительной мощности, уменьшении размеров чипов и улучшении управления энергопотреблением.