Компания HP объявила о значительном продвижении вперед в разработке технологии хранения данных, позволяющей уместить 20 Гб полезной информации в объеме одного кубического сантиметра. Новая разработка HP основана на так называемых мемристорах, представляющих собой пассивные микроэлектронные элементы, обладающие способностью менять свое сопротивление.В основе мемристора лежит сверхтонкая пленка диоксида титана, разрушаемая электрическим током. В результате этого процесса отдельные атомы начинают перемещаться и, таким образом, изменяется сопротивление материала. При этом команде исследователей из HP удалось не просто создать трехмерный массив мемристоров, работающий схожим образом с синапсами в мозгу, но и увеличить их скорость переключения до уровня, сопоставимого с традиционными кремниевыми транзисторами. Основное преимущество мемристорной технологии заключается в значительном уменьшении размеров отдельных элементов и, как следствие, в возрастании плотности памяти. В то время как существующая память на основе транзисторов производится по нормам 30-40 нм технологии, в лабораториях HP уже созданы 3 нм мемристоры, скорость переключения которых составляет всего около наносекунды. Доктор Стэн Уильямс (Stan Williams) полагает, что менее чем через три года мемристорная технология позволит уместить 20 Гб данных в объеме одного кубического сантиметра, то есть обычного кусочка сахара, а также найдет свое применение в других областях науки и техники. Помимо прочего, мемристорная технология обещает снижение энергопотребления, поскольку атомы после завершения переноса не требуют энергии для поддержания текущего состояния. Источник новости: SlashGear