Micron представила модули памяти DDR объемом 4 Гб

Компания Micron Technology передала корпорации Intel для прохождения сертификации первые серийные модули DDR Registered объемом 4 Гб.

Новые модули памяти DIMM типа PC1600 и PC2100 построены на основе гигабитных микросхем DDR266, выпускаемых по 0,11-микронной технологии в корпусах типа TSOP. Исполнительный директор Micron по маркетингу Терри Ли заявил, что использование 0,11-микронной технологии позволяет существенно снизить себестоимость производства и получить микросхемы высокой емкости. Ли сообщил, что компания Micron намерена в будущем использовать 0,11-микронную технологию для выпуска новых чипов повышенной емкости.

По словам вице-президента Micron Боба Доннелли, модули DIMM объемом 4 Гб являются самыми большими по емкости серийно выпускаемыми модулями, которые позволяют собирать серверы и рабочие станции с 64 Гб оперативной памяти. Представитель Intel Пит Макуильямс подчеркнул, что появление новых модулей памяти на основе гигабитных микросхем DRAM является важной ступенью на пути к созданию высокопроизводительных систем на платформе Intel.

Источник новости: Micron Technology