На Международном симпозиуме по топологическому проектированию микросхем (International Symposium on Physical Design) докладчики от IBM, Motorola и Mentor Graphics уделили внимание одному вопросу. RET (resolution enhancement techniques - технология улучшения разрешения), популярная у технологов субмикронных чипов, оказывается, более глубоко воздействует на топологический САПР. В RET входят несколько приемов. Один из важнейших - фазовый сдвиг света, который применяется в специальных фотошаблонах (phase-shift mask). С его помощью можно вытворять удивительный фокус: имея, например, 250 нм световой источник создавать 70 нм транзисторы. Коррекция оптической близости (optical proximity correction) тоже входит в арсенал современной оптической фотолитографии. Исследователи замечают, что обе технологии пока не позволяют описываться в иерархических топологических базах данных. Именно такой тип характерен для СБИС. Докладчики поставили вопрос о замене топологического промышленного стандарта (де-факто) формата GDSII. Причем оказывается, что если тополог воздержится от некоторых приемов, Т-переходов, например, то фотошаблоны получатся гораздо дешевле. Источник новости: www.eet.com