Российские ученые выращивают кристаллы нового поколения для зарядных устройств и сотовых сетей

Молодёжная лаборатория Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН занимается разработкой новой технологии для создания материала, который используется в электронике. Они фокусируются на нитриде галлия, который является важным компонентом в силовой электронике и СВЧ-электронике, используемой в системах связи 5G и 6G, а также в высоковольтных источниках питания и носимой электронике.

В прошлом году исследователям удалось провести первые этапы экспериментов по созданию нитрида галлия на кремниевых подложках, а в этом году они перешли к разработке буферных слоёв, которые составляют основное «тело» кристаллов. В ближайшем будущем они планируют приступить к отработке верхних слоёв структур, в которых будет протекать высокоплотностный ток.

Однако создание таких структур на кремниевых подложках представляет сложность из-за различий в характеристиках материалов. Учёные сталкиваются с трудностями в выращивании высококачественного кристалла нитрида галлия на подложке из кремния, так как их структурные свойства и параметры расширения при изменении температуры значительно отличаются.

За короткий срок работы лаборатории, они успешно справились с начальными этапами создания структур и сейчас готовят научные публикации, которые будут представлены в ведущих научных журналах. Впереди учёных ждут новые сложные задачи, включая отработку верхних слоёв структур, необходимых для создания транзисторов, способных передавать высокоплотностный ток.