Российские учёные создали диод с «односторонним движением»

Ученые из Центра компетенций НТИ "Фотоника" при Алферовском университете разработали новый тип диода на основе нитрида галлия (GaN), который может применяться в различных электронных устройствах, включая космическую электронику. Этот диод с барьером Шоттки создан с использованием нитевидных нанокристаллов нитрида галлия.

Профессор Иван Мухин объяснил, что нитрид галлия является интересным полупроводниковым материалом, который может использоваться в создании нового поколения электронных компонентов для силовой электроники, сверхвысокочастотной электроники и оптоэлектроники. Он также отметил, что диоды Шоттки, основанные на энергетическом барьере между металлом и полупроводником, могут выполнять различные функции, например, преобразовывать переменный ток в постоянный или генерировать электромагнитное излучение.

Ученые Центра НТИ "Фотоника" синтезировали нитевидные нанокристаллы нитрида галлия и создали диоды, которые показали отличные характеристики в частотном диапазоне до 160 ГГц. Они отметили, что использование кремниевых подложек для синтеза нанокристаллов имеет экономические преимущества, так как кремний является основным материалом в полупроводниковой промышленности.

Этот прорыв в разработке диодов открывает новые возможности для создания компонентов систем связи следующего поколения, а также для различных датчиков и устройств интернета вещей. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nanotechnology.