Samsung и IBM заявили о прорыве в разработке чипов
Придумали новую схему расположения транзисторовIBM и Samsung объявили, что они совершили прорыв в разработке полупроводниковых микросхем. Во время конференции IEDM в Сан-Франциско два технологических гиганта рассказали, что они придумали новый метод вертикального расположения транзисторов, обеспечивающий более высокую производительность или повышенную энергоэффективность.
Актуальные методы подразумевают горизонтальное размещение транзисторов, а новая технология IBM и Samsung допускает их вертикальное расположение. Ток тоже будет проходить вертикально. Это позволит обойти ограничения производительности по закону Мура или поможет сохранить энергию за счёт более низкого энергопотребления.
Новая технология называется VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors). Ожидается, что она обеспечит вдвое большую производительность или повышение энергоэффективности на 85% по сравнению с микросхемами FinFET.
IBM и Samsung не объявили, когда мы сможем увидеть VTFET в коммерческих продуктах.