Samsung Electronics сообщает о начале поставок своих новых мультичиповых блоков для 3G-аппаратов; в них установлено 64 Мбит NAND flash-памяти и 32 Мбит однотранзисторной UtRAM. Во второй декаде декабря прошлого корейская компания уже выпускала похожее решение, но с 8-Мбит SRAM в качестве ОЗУ; в будущем же, по ее прошлогодним заявлениям, планируются модели со 128- и 256-Мбит flash-памятью. Samsung планирует использовать новые блоки в своих IMT-2000 мобильных терминалах. В прошлом году продажи продуктов с flash-памятью от Samsung составили $400 млн., и компания полагает удвоить это число в 2001 году. Источник новости: Nikkei