Ученые научились видеть дефекты в полупроводниках на уровне отдельных атомов
С помощью микроскопии высокого разрешения и лазеровФизики из Университета штата Мичиган разработали новый метод анализа материалов, используемый в современных электронных устройствах. Новая методика, описанная в журнале Nature Photonics, объединяет микроскопию высокого разрешения с ультрабыстрыми лазерами. Это позволяет ученым с высокой точностью обнаруживать чужеродные атомы в полупроводниках.