Разработка из Курчатовского института улучшит наноэлектронику
Новая технология расширит функционал и уменьшит размеры кремниевых устройствВ пресс-службе Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» сообщили, что ученые центра разработали двумерный магнит, который может значительно улучшить кремниевую электронику. Этот материал, состоящий из нескольких монослоев, включает атомы алюминия и кремния, а также слой атомов гадолиния, придающий магнитные свойства.
/imgs/2024/08/27/08/6574629/6ca3db000d0512ea201a47f4775ed5d79e3a29ef.jpg "Разработка из Курчатовского института улучшит наноэлектронику")
© Ferra.ru
Разработка базируется на оригинальном методе синтеза, который позволяет стабилизировать слоистые структуры с точностью до одного монослоя. Это позволяет создавать ультратонкие пленки толщиной от одного до десяти монослоев, что открывает новые возможности для создания материалов в наноэлектронике и спинтронике, отметили в пресс-службе.
Технология интеграции магнита с кремниевой платформой обеспечит улучшение функциональных характеристик электронных устройств, сохраняя их компактность. Новый метод синтеза позволяет создавать ранее неизвестные вещества, что является значительным достижением в дизайне материалов для электроники, добавили в пресс-службе.