Ученые из Питера раскрыли секрет создания новых полупроводниковых материалов
Новые наноструктуры расширят возможности оптоэлектронных устройствФизики Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ) вместе с коллегами из Академического университета имени Ж. И. Алферова, Института проблем машиноведения РАН и Высшей школы экономики изучили механизм формирования трехмерных структур на основе полупроводникового сплава индий-галий-нитрид (InGaN). Результаты исследования опубликованы в ACS Applied Nano Materials.