Intel представляет первый в мире 45-нм чип

25 января 2006 года компания Intel объявила о выпуске  первого работоспособного чипа статической памяти (SRAM, Static Random Access Memory), изготовленного по 45-нм производственной технологии. Новая микросхема содержит более миллиарда транзисторов.

Этот результат подтверждает планы Intel начать производство микросхем по 45-нм производственной технологии с использованием 300-мм подложек в 2007 году.

Новая производственная технология позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью.

Источник новости: Intel