Разработаны силиценовые транзисторы толщиной в один атом

Хотя сегодня практически весь научный мир сходит с ума по графену, которому находят все новые сферы применения, продолжается исследовательская работа и в отношении других двухмерных материалов, где толщина пласта составляет всего один атом. Скажем, команде ученых из Техасского университета в Остине удалось разработать новый метод работы с силиценом, кремниевым аналогом того самого графена, что позволяет создавать на его основе самые настоящие транзисторы для разных микроэлектронных компонентов.

В основе указанной методики, по словам одного из разработчиков Деджи Акинванда (Deji Akinwande), лежит конструктивное решение, согласно которому силицен выращивается на пленке из серебра, а сверху покрывается оксидом алюминия. Полученный таким образом “бутерброд” затем помещается на кремниевую пластину стороной с серебром вверх, что дает возможность изолировать двухмерный материал от доступа воздуха и создать что-то наподобие простейшего транзистора, способного стабильно функционировать в вакууме.

Конечно, пока разработка американских ученых носит чисто экспериментальный характер и на пути создания настоящих силиценовых микросхем предстоит преодолеть еще немало сложностей. Помимо прочего, сам этот двухмерный материал был открыт относительно недавно и может быть получен лишь в лабораторных и промышленных условиях, однако его применение обещает серьезный прогресс в кремниевой микроэлектронике, к примеру, создание сверхбыстрых чипов для больших вычислительных систем и суперкомпьютеров.

Источник новости: Техасский университет