Samsung запустит производство чипов 512Мбит DDR SDRAM по 90нм техпроцессу

Компания Samsung Electronics на днях анонсировала начало массового производства чипов памяти 512Мбит DDR SDRAM по технологическому процессу 90нм на 300мм пластинах. Впервые этот техпроцесс компания применила в 2003 году при производстве чипов 2Гбит NAND flash памяти.

Напряжение питания новых чипов памяти составляет 2,5В; будут выпускаться чипы, работающие на тактовой частоте 400МГц и 333МГц. Переход с техпроцесса 0,10мкм на 90нм позволит на 40% увеличить выпуск чипов памяти на тех же производственных мощностях.

Ну, а вездесущая Gartner Dataquest, специализирующаяся по исследованию рынков, тоже не преминула высказаться по поводу рыночных перспектив и отметила, что ее аналитики предполагают преобладание спроса 512Мбит чипов над 256Мбит во втором полугодии 2004 года на рынке DRAM памяти, а ожидаемый спрос в 2005 году на 512Мбит чипы памяти достигнет 13 миллиардов долларов.

Источник новости: 3DNews