Компания Samsung Electronics на днях анонсировала начало массового производства чипов памяти 512Мбит DDR SDRAM по технологическому процессу 90нм на 300мм пластинах. Впервые этот техпроцесс компания применила в 2003 году при производстве чипов 2Гбит NAND flash памяти. Напряжение питания новых чипов памяти составляет 2,5В; будут выпускаться чипы, работающие на тактовой частоте 400МГц и 333МГц. Переход с техпроцесса 0,10мкм на 90нм позволит на 40% увеличить выпуск чипов памяти на тех же производственных мощностях. Ну, а вездесущая Gartner Dataquest, специализирующаяся по исследованию рынков, тоже не преминула высказаться по поводу рыночных перспектив и отметила, что ее аналитики предполагают преобладание спроса 512Мбит чипов над 256Мбит во втором полугодии 2004 года на рынке DRAM памяти, а ожидаемый спрос в 2005 году на 512Мбит чипы памяти достигнет 13 миллиардов долларов. Источник новости: 3DNews